STU2N105K5

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N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET,IPAK封装

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  • 这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

    主要特性

    • 业界领先的低 RDS(on) x 面积
    • 业界出色的品质因数(FoM)
    • 极低的栅极电荷
    • 经过100%雪崩测试
    • 稳压保护

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STMicroelectronics - STU2N105K5

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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IPAK 工业 Ecopack2

STU2N105K5

Package:

IPAK

Material Declaration**:

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批量生产

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IPAK

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Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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EAR99

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

IPAK

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

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Country of Origin

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