STU4N80K5

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N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET,IPAK封装

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  • 这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

    主要特性

    • 业界领先的低RDS(on)x 面积
    • 业界出色的品质因数(FoM)
    • 极低的栅极电荷
    • 经过100%雪崩测试
    • 稳压保护

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STU4N80K5
批量生产
IPAK 工业 Ecopack2

STU4N80K5

Package:

IPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

IPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
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封装
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Newark Element14 AMERICA 700 0 马上订购
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代理商名称

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EAR99 NEC Tube IPAK - - CHINA

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EAR99

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RS COMPONENTS

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包装类型

Tube

封装

IPAK

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-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商