STU7NM60N

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N-channel 600 V, 0.8 Ohm typ., 5 A MDmesh II Power MOSFET in IPAK package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

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      DS6523
      N-channel 600 V, 0.8 Ω typ., 5 A MDmesh™ II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages
      5.0
      596.54 KB
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      DS6523

      N-channel 600 V, 0.8 Ω typ., 5 A MDmesh™ II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages

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      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
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      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STU7NM60N PSpice model (.lib) 1.0
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      STU7NM60N PSpice model (.lib)

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STU7NM60N
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IPAK Industrial Ecopack2

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Package:

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