产品概述
描述
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
-
所有功能
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best FoM (figure of merit)
- Ultra-low gate charge
- Zener-protected
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EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STW12N170K5
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STW12N170K5 | 批量生产 | TO-247 | 工业 | Ecopack2 | |
STW12N170K5
Package:
TO-247Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STW12N170K5 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | - | - | CHINA | | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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