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STW12NK90Z

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N沟道900 V、0.72 Ohm典型值、11 A SuperMESH功率MOSFET，TO-247封装

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  • This device is made using the SuperMESH™ Power MOSFET technology that is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

    主要特性

    • Extremely high dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitance
    • Very good manufacturing repeatability
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS3364
      N-channel 900 V, 0.72 Ω, 11 A TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET       		6.1
      479.59 KB
      		PDF
      DS3364

      N-channel 900 V, 0.72 Ω, 11 A TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN2623
      Evaluation board for off-line forward converter based on L5991       		1.2
      1.24 MB
      		PDF
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN2623

      Evaluation board for off-line forward converter based on L5991

      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STW12NK90Z PSpice model (.lib) 1.0
      564 Byte(s)
      		ZIP

      STW12NK90Z PSpice model (.lib)

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW12NK90Z
批量生产
TO-247 工业 Ecopack2

STW12NK90Z

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML
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Marketing Status

批量生产

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

样片和购买

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DIGIKEY WORLDWIDE 906 1 马上订购
COMPEL EUROPE 103 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 393 1 马上订购
ARROW EUROPE 2051 0 马上订购
Newark Element14 AMERICA 83 0 马上订购
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包装类型

Tube
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DIGIKEY WORLDWIDE 906 1 马上订购
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代理商名称

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