STW26NM50

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N-Channel 500V - 0.1Ohm - 26A - TO-247 Zener-Protected MDmesh(TM) POWER MOSFET

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  • MDmesh™ technology applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product offers low onresistance, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.

    主要特性

    • High dv/dt and avalanche capabilities
    • Low input capacitance and gate charge
    • Improved ESD capability

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STW26NM50 TO-247 Tube
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      N-channel 500 V, 0.10 Ω, 30 A TO-247 MDmesh™ Power MOSFET
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      N-channel 500 V, 0.10 Ω, 30 A TO-247 MDmesh™ Power MOSFET

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      Fishbone diagram for power factor correction
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      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
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      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STW26NM50 PSpice model (.lib) 1.0
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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW26NM50
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TO-247 Industrial Ecopack2

STW26NM50

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO-247

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Industrial

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