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STW30N65M5

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N-channel 650 V, 0.125 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package

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  • These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主要特性

    • Worldwide best RDS(on)*area
    • Higher VDSSrating
    • Excellent switching performance
    • Easy to drive
    • 100% avalanche tested
    • High dv/dt capability
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STW30N65M5 TO-247 Tube
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封装

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900 V MDmesh K5 MOSFETs
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800 V MDmesh K5 MOSFETs
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      		DS6070
      N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247       		3.1
      1.25 MB
      		PDF
      DS6070

      N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter       		1.1
      1.35 MB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STW30N65M5 Pspice model (.lib) 1.0
      949 Byte(s)
      		ZIP

      STW30N65M5 Pspice model (.lib)

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW30N65M5
批量生产
TO-247 Industrial Ecopack2

STW30N65M5

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML
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Marketing Status

批量生产

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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