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These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

主要特性
- Worldwide best R_DS(on)*area
- Higher V_DSSrating
- Excellent switching performance
- Easy to drive
- 100% avalanche tested
- High dv/dt capability
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  STPOWER MOSFET Finder ST 用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用
  
  产品型号
  
  STPOWER MOSFET Finder
  
  用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

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	STPOWER MOSFET Finder	ST	用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

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产品规格
- 描述版本文档大小操作
  
  DS6070
  N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247 3.1
  1.25 MB
  PDF
  
  DS6070
  
  N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	DS6070 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247	3.1	1.25 MB	PDF

应用手册

描述	版本	文档大小	操作
AN4250 Fishbone diagram for power factor correction	1.1	772.32 KB	PDF
AN4829 Fishbone diagrams for a forward converter	1.1	1.35 MB	PDF
AN2842 Paralleling of power MOSFETs in PFC topology	1.4	896.91 KB	PDF
AN2344 Power MOSFET avalanche characteristics and ratings	1.3	880.04 KB	PDF
AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN4250

Fishbone diagram for power factor correction

PDF

AN4829

Fishbone diagrams for a forward converter

PDF

AN2842

Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

PDF

AN2344

Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

PDF

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

PDF

技术文档

	描述	版本	文档大小	操作
	TN1156 Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products	1.0	657.71 KB	PDF

TN1156

Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

PDF

用户手册
- 描述版本文档大小操作
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

硬件型号、CAD库及SVD

硬件型号、CAD库及SVD
- 描述版本文档大小操作
  
  STW30N65M5 Pspice model (.lib) 1.0
  949 Byte(s)
  ZIP
  
  STW30N65M5 Pspice model (.lib)
  
  ZIP

	描述	版本	文档大小	操作
	STW30N65M5 Pspice model (.lib)	1.0	949 Byte(s)	ZIP

出版刊物和宣传资料

宣传册

描述	版本	文档大小	操作
300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions	1.0	568.16 KB	PDF
400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode	1.1	203.54 KB	PDF
ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS	1.0	305.22 KB	PDF

300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

PDF

400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

PDF

ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

PDF

手册
- 描述版本文档大小操作
  
  Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
  1.28 MB
  PDF
  
  Electric vehicle (EV) ecosystem
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	Electric vehicle (EV) ecosystem	1.1	1.28 MB	PDF

质量与可靠性

产品型号	Marketing Status	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STW30N65M5	批量生产	TO-247	工业	Ecopack2	PDF XML

STW30N65M5

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

More Info

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系销售支持。

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DIGIKEY	WORLDWIDE	529	1	马上订购
RS COMPONENTS	EUROPE	209	1	马上订购
ARROW	EUROPE	600	0	马上订购
MOUSER	WORLDWIDE	735	1	马上订购
Farnell Element14	EUROPE	525	1	马上订购

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RS COMPONENTS

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ARROW

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MOUSER

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TO-247

Tube

EAR99

CHINA

STW30N65M5

封装

TO-247

包装类型

Tube

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DIGIKEY	WORLDWIDE	529	1	马上订购
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ARROW	EUROPE	600	0	马上订购
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Farnell Element14	EUROPE	525	1	马上订购

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DIGIKEY

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ARROW

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(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处或我们的经销商。

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