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STW36N60M6

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N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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  • The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) * area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

    主要特性

    • Reduced switching losses
    • Lower RDS(on) x area vs previous generation
    • Low gate input resistance
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected
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STW36N60M6 TO-247 Tube
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      		DS11304
      N-channel 600 V, 85 mΩ typ., 30 A MDmesh™ M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages       		3.0
      799.23 KB
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      DS11304

      N-channel 600 V, 85 mΩ typ., 30 A MDmesh™ M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages

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      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
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      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
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      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies       		1.0
      1.09 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
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      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		stw36n60m6 Pspice Model 1.0
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      stw36n60m6 Pspice Model

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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency 1.0
      760.45 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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      600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW36N60M6
批量生产
TO-247 Industrial Ecopack2

STW36N60M6

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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