STW48N60DM2

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N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

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  • This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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      N-channel 600 V, 0.065 Ω typ., 40 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
      2.0
      717.32 KB
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      DS10603

      N-channel 600 V, 0.065 Ω typ., 40 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection
      1.0
      1.4 MB
      PDF
      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
      PDF
      AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter
      1.4
      446.79 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STW48N60DM2 PSpice model 1.0
      10.41 KB
      ZIP

      STW48N60DM2 PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      643.03 KB
      PDF
      STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program 1.0
      784.76 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW48N60DM2
批量生产
TO-247 Industrial Ecopack2

STW48N60DM2

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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