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STW4N150

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N沟道1500 V、5 Ohm、4 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET，TO-247封装

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  • Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of very high voltage Power MOSFETs with outstanding performances.

    The strengthened layout coupled with the company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • High speed switching
    • Intrinsic capacitances and Qg minimized
    • Creepage distance path is 5.4 mm (typ.) for TO-3PF
    • Fully isolated TO-3PF plastic packages
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS4257
      N-channel 1500 V, 5 Ω, 4 A, PowerMESH™ Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF       		9.2
      754.03 KB
      		PDF
      DS4257

      N-channel 1500 V, 5 Ω, 4 A, PowerMESH™ Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		STW4N150 PSpice model (.lib) 1.0
      933 Byte(s)
      		ZIP

      STW4N150 PSpice model (.lib)

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW4N150
批量生产
TO-247 工业 Ecopack2

STW4N150

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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批量生产

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TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。