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This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Q_rr), recovery time (t_rr) and excellent improvement in R_DS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

主要特性
- Fast-recovery body diode
- Lower R_DS(on) per area vs previous generation
- Low gate charge, input capacitance and resistance
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt ruggedness
- Zener-protected
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  STPOWER MOSFET Finder ST 用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用
  
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产品规格
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  DS13174
  N-channel 650 V, 74 mΩ typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 1.0
  440.44 KB
  PDF
  
  DS13174
  
  N-channel 650 V, 74 mΩ typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	DS13174 N-channel 650 V, 74 mΩ typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package	1.0	440.44 KB	PDF

应用手册

描述	版本	文档大小	操作
AN4250 Fishbone diagram for power factor correction	1.1	772.32 KB	PDF
AN5427 MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode	1.0	834.68 KB	PDF
AN2842 Paralleling of power MOSFETs in PFC topology	1.4	896.91 KB	PDF
AN2344 Power MOSFET avalanche characteristics and ratings	1.3	880.04 KB	PDF
AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN4250

Fishbone diagram for power factor correction

PDF

AN5427

MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

PDF

AN2842

Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

PDF

AN2344

Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

PDF

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

PDF

技术文档

	描述	版本	文档大小	操作
	TN1156 Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products	1.0	657.71 KB	PDF

TN1156

Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

PDF

用户手册
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  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

硬件型号、CAD库及SVD

	描述	版本	文档大小	操作
	STW50N65DM6 Pspice Model	1.0	5.5 KB	ZIP

出版刊物和宣传资料

宣传册

描述	版本	文档大小	操作
300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions	1.0	568.16 KB	PDF
400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode	1.1	203.54 KB	PDF
600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness	1.0	1.15 MB	PDF
ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS	1.0	305.22 KB	PDF

300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

PDF

400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

PDF

600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness

PDF

ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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手册
- 描述版本文档大小操作
  
  600 - 650 V MDmesh DM6: Fast-recovery body diode SJ MOSFETs 1.0
  2.41 MB
  PDF
  
  600 - 650 V MDmesh DM6: Fast-recovery body diode SJ MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	600 - 650 V MDmesh DM6: Fast-recovery body diode SJ MOSFETs	1.0	2.41 MB	PDF

质量与可靠性

产品型号	Marketing Status	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STW50N65DM6	批量生产	TO-247	工业	Ecopack2	PDF XML

STW50N65DM6

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

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Tube

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