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STW50N65DM6

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N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

  • 所有功能

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
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    • 产品型号
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      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      		 Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

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STW50N65DM6 Pspice Model
1.0 25 Nov 2019
25 Nov 2019
STW50N65DM6 Pspice Model 1.0

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW50N65DM6
批量生产
TO-247 工业 Ecopack2

STW50N65DM6

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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批量生产

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TO-247

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

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STW50N65DM6

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NEC

包装类型

Tube

封装

TO-247

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-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。