STW65N045M9-4

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N沟道650 V,39 mOhm典型值,54 A MDmesh M9功率MOSFET,采用TO247-4封装

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产品概述

描述

该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on)非常低的中/高电压MOSFET。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺,增强了器件结构。在所有硅基快速开关超结功率MOSFET中,运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值,特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。

  • 所有功能

    • 全球硅基器件中出色的FOM RDS(on)*Qg
    • 更高的VDSS额定值
    • 更高的dv/dt性能
    • 因额外的驱动源引脚而具有出色的开关性能
    • 易于驱动
    • 经过100%雪崩测试

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STW65N045M9-4

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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TO247-4 工业 Ecopack2

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Industrial

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