STW65N60DM6

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N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO-247封装

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  • These high-voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
    • High-creepage package

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW65N60DM6
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TO-247 工业 Ecopack2

STW65N60DM6

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube TO-247 - - CHINA

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包装类型

Tube

封装

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CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商