STW69N65M5-4

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N沟道650 V、0.037 Ohm典型值、58 A MDmesh M5功率MOSFET,TO247-4封装

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  • This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主要特性

    • Higher VDSrating
    • Higher dv/dt capability
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
    • Easy to drive
    • 100% avalanche tested

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9800
      N-channel 650 V, 0.037 Ω typ., 58 A, MDmesh™ V Power MOSFET in a TO247-4 package
      2.0
      786.75 KB
      PDF
      DS9800

      N-channel 650 V, 0.037 Ω typ., 58 A, MDmesh™ V Power MOSFET in a TO247-4 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4407
      使用4引脚MOSFET的优势
      1.0
      1.31 MB
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      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
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      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4407

      使用4引脚MOSFET的优势

      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW69N65M5-4
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TO247-4 工业 Ecopack2

STW69N65M5-4

Package:

TO247-4

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO247-4

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

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Tube

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