STW70N60DM6-4

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N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO247-4封装

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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

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STMicroelectronics - STW70N60DM6-4

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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STW70N60DM6-4

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TO247-4

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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Country of Origin

CHINA

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