STW75N65DM6-4

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N沟道650 V、33 mOhm典型值、75 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO247-4封装

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This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
  • 所有功能

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

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EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STW75N65DM6-4

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW75N65DM6-4
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TO247-4 工业 Ecopack2

STW75N65DM6-4

Package:

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Material Declaration**:

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TO247-4

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Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube TO247-4 - - CHINA

STW75N65DM6-4 批量生产

封装:
TO247-4
ECCN (US):
EAR99
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STW75N65DM6-4

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

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Country of Origin:

CHINA

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商