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STW77N65M5

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N沟道650 V、0.033 Ohm典型值、69 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装

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  • This device is a N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主要特性

    • Higher VDSSrating
    • Higher dv/dt capability
    • Excellent switching performance
    • Easy to drive
    • 100% avalanche tested
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS6036
      N-channel 650 V, 0.033 Ω, 69 A, MDmesh™ V Power MOSFET TO-247       		3.1
      967.55 KB
      		PDF
      DS6036

      N-channel 650 V, 0.033 Ω, 69 A, MDmesh™ V Power MOSFET TO-247

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter       		1.1
      1.35 MB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      		AN3152
      The right technology for solar converters       		1.4
      416.3 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      AN3152

      The right technology for solar converters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STW77N65M5 PSpice model (.lib) 1.0
      943 Byte(s)
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      STW77N65M5 PSpice model (.lib)

      ZIP

Presentations & Training Material

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		ST products and solutions for solar energy 5.1
      2.09 MB
      		PDF

      ST products and solutions for solar energy

      PDF

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW77N65M5
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TO-247 工业 Ecopack2

STW77N65M5

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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包装类型

Tube

封装

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。