产品概述
描述
该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比，DM6兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快恢复时间（trr），并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进，采用市场上最高效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
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所有功能
- 符合AEC-Q101
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比，具有更低的单位面积RDS(on)值
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100％雪崩测试
- 非常高的dv / dt耐用性
- 稳压保护
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STWA30N65DM6AG
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符号
封装
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全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 25 May 2021 | 25 May 2021 |
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STWA30N65DM6AG | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 long leads | - | - | CHINA | | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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