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N沟道600 V、38 mOhm典型值、55 A MDmesh DM9功率MOSFET,TO-247长引线封装

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产品概述

描述

该N沟道功率MOSFET基于创新型超结MDmesh DM9技术,适合中/高电压MOSFET(具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on),以及快速恢复二极管)。基于硅的DM9技术采用多漏制造工艺,支持增强型器件结构。快速恢复二极管兼具超低恢复电荷 (Qrr) 和RDS(on),以及超快恢复时间 (trr),使该快速开关超结功率MOSFET为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率。

  • 所有功能

    • 快速恢复体二极管
    • 在硅基快速恢复器件中,具有全球领先的单位面积导通电阻RDS(on)
    • 低栅极电荷、输入电容和电阻
    • 经过100%雪崩测试
    • 非常高的dv/dt耐用性

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STWA60N043DM9

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