STWA75N60M6

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N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247长引线封装

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  • The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

    主要特性

    • Reduced switching losses
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate input resistance
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS12418
      N-channel 600 V, 32 mΩ typ., 72 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO‑247 long leads package
      2.0
      563.38 KB
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      DS12418

      N-channel 600 V, 32 mΩ typ., 72 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO‑247 long leads package

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      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
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      AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies
      1.0
      1.09 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      stwa75n60m6 Pspice Model 1.0
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      stwa75n60m6 Pspice Model

出版刊物和宣传资料

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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF
      STPOWER MOSFET MDmesh™ M6 600 to 700 V Super Junction MOSFETs to boost the efficiency 1.0
      173.61 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      STPOWER MOSFET MDmesh™ M6 600 to 700 V Super Junction MOSFETs to boost the efficiency

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      TO-LL: the latest evolution in SMD power packages STPOWER MOSFET SJ MDmesh M6 and DM6 1.0
      471.84 KB
      PDF

      TO-LL: the latest evolution in SMD power packages STPOWER MOSFET SJ MDmesh M6 and DM6

质量与可靠性

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