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Complementary power Darlington transistor

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  • The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

    主要特性

    • Low collector-emitter saturation voltage
    • Complementary NPN - PNP transistors

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      DS0854
      Complementary power Darlington transistors
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      Complementary power Darlington transistors

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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