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Complementary power Darlington transistor

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  • The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

    主要特性

    • Low collector-emitter saturation voltage
    • Complementary NPN - PNP transistors
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS0854
      Complementary power Darlington transistors       		4.2
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      DS0854

      Complementary power Darlington transistors

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
TIP122
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

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Industrial

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。