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COMPLEMENTARY HIGH POWER TRANSISTORS

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  • The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

    主要特性

    • Low collector-emitter saturation voltage
    • Complementary NPN-PNP transistors

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS5819
      Complementary power transistors
      2.2
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      DS5819

      Complementary power transistors

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
TIP35CP
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TO-3P 工业 Ecopack1

TIP35CP

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TO-3P

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Industrial

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