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  • The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power MOSFET. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optmized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/ (look for application note AN1294).

    主要特性

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT = 60 W with 14.3dB gain@ 945 MHz/28 V
    • New RF plastic package

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      STEVAL-TDR007V1

      NRND

      使用PD57002-E、PD57018-E和2x PD57060-E的200 W / 1030 MHz IFF模式-S参考设计

      射频功率晶体管评估板 --
      STEVAL-TDR007V1

      描述:

      使用PD57002-E、PD57018-E和2x PD57060-E的200 W / 1030 MHz IFF模式-S参考设计

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STMicroelectronics - PD57060S-E

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