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  • The device is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1 GHz. It is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for applications from 1 to 1000 MHz.

    主要特性

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration Push-pull
    • POUT = 60 W with 16 dB gain @ 860 MHz
    • BeO-free package

特别推荐

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - SD56060

Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Loose Piece

封装

M246

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(最大值)

-

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商