ST50V10200

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HF至1.5Ghz RF功率LDMOS晶体管

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产品概述

描述

The ST50V10200 is a common-source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial, avionics and industrial applications at frequencies up to 1.5 GHz. It can be used in A/AB and C classes for all typical modulation formats.
  • 所有功能

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Large positive and negative gate/source voltage range
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC

特别推荐

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - ST50V10200

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Symbols

符号

Footprints

封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
ST50V10200
批量生产
M246 工业 Ecopack1

ST50V10200

Package:

M246

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

M246

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

产品型号
从分销商订购
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小值
最大值
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批量生产
EAR99 NEC Loose Piece M246 - 200

ST50V10200

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Loose Piece

封装

M246

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

200

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商