STAC1214-350

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350 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor

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产品概述

描述

The STAC1214-350 is a 50 V common-source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for L-band radar applications.
  • 所有功能

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Internal input matching for ease of use
    • Large positive and negative gate/source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STAC1214-350

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Symbols

符号

Footprints

封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STAC1214-350
批量生产
STAC780-4F 工业 Ecopack1

STAC1214-350

Package:

STAC780-4F

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

STAC780-4F

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Budgetary Price (US$)*/Qty
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最大值
STAC1214-350 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处
批量生产
EAR99 NEC Loose Piece STAC780-4F - -

STAC1214-350

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Loose Piece

封装

STAC780-4F

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商