意法半导体提供广泛的RF DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管产品系列，工作电压从50到100 V，可靠性很高（100万个功率循环）。我们的RF DMOS晶体管具有高峰值功率（可达1.2 kW）和高耐用性（无限：1 VSWR），目标应用为1 MHz至250 MHz 频率范围。
意法半导体的RF DMOS晶体管采用优化的工艺布局，改善了射频性能，非常适合：
- RF等离子体发生器
- 激光驱动器
- 射频加热与解冻
- 磁共振显像(MRI)
- HF收发器
- FM广播
除了采用意法半导体的创新型STAC®气室封装且热电阻降低了25%的器件，我们还提供一系列采用灌胶封装的防潮射频晶体管，为在高湿度环境下运行的设备提供经济划算的解决方案。
为了帮助工程师快速将自己的设计推向市场，我们提供各种各样的评估板以及多种软件模拟器和分析工具。
- STAC3932B HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
- STAC2942B HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
- SD3933 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETs
- SD4933 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
- SD4931 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
- SD2933 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETs
- STAC4932F RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFET
- SD2932 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
- SD2931-10 RF power transistor: HF/VHF/UHF N-channel power MOSFETs
- SD3931-10 RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
- STAC3932F RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
- SD2941-10 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETs
- SD2943 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
- SD4933MR 50 V moisture resistant DMOS transistor for ISM applications
- STAC4932B HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
- STAC4932F1MR 350 W 50 V HF/VHF DMOS in STAC moisture-resistant flangeless package
- SD2931-12MR 150 W. 50 V moisture resistant HF/VHF DMOS transistor
- SD2942 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
