碳化硅 - 高压开关和整流的最新突破
意法半导体的碳化硅器件包括STPOWERSiC MOSFET(具有650 - 1700 V电压范围、业界最高的200 °C额定结温,可据此作出更有效、简化的设计)和STPOWERSiC二极管(电压范围600 - 1200 V,具有负开关损耗以及比标准硅二极管低15%的前向电压(VF))。
STPOWER SiC MOSFET
主要特性:
- 汽车级(AG)合格器件
- 超高温处理能力(max.TJ = 200 °C)
- 极低的开关损耗(随温度变化影响最小)允许工作在非常高的开关频率
- 在温度范围内具有低导通电阻
- 易于驱动
- 稳定的超快速本体二极管