碳化硅 - 高压开关和整流的最新突破
意法半导体的碳化硅器件包括STPOWERSiC MOSFET（具有650 - 1700 V电压范围、业界最高的200 °C额定结温，可据此作出更有效、简化的设计）和STPOWERSiC二极管（电压范围600 - 1200 V，具有负开关损耗以及比标准硅二极管低15%的前向电压（VF））。
STPOWER SiC MOSFET
主要特性：
- 汽车级（AG）合格器件
- 超高温处理能力（max.TJ = 200 °C）
- 极低的开关损耗（随温度变化影响最小）允许工作在非常高的开关频率
- 在温度范围内具有低导通电阻
- 易于驱动
- 稳定的超快速本体二极管
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