碳化硅（SiC）MOSFET

STPOWER SiC MOSFET现在让创新型宽带隙材料（WBG）的优点惠及您的下一个设计。自2014年开始量产以来，意法半导体的SiC MOSFET提供扩展的电压范围（从650 - 1700 V，在不久的将来会更高），采用最先进的技术平台（具有优良开关性能），具有单位面积极低的导通电阻RDS(on) 和业界出色的品质因数（FoM）。由于意法半导体碳化硅专家的出色工作，配备ST SiC MOSFET的系统可以受益于其所达到的优良质量（几乎可与传统硅技术相媲美）。意法半导体的SiC MOSFET将允许您设计比以往任何时候更高效的紧凑型系统。 

我们的STPOWER SiC MOSFET的主要特点和优势包括：

• 汽车级（AG）合格器件
• 超高温处理能力（max.TJ = 200 °C）
• 极低的开关损耗（随温度变化影响最小）允许工作在非常高的开关频率
• 在温度范围内具有低导通电阻
• 易于驱动
• 稳定的超快速本体二极管

我们的STPOWER SiC MOSFET产品采用专门为汽车和工业应用设计的先进封装（HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK和HU3PAK)。