碳化硅（SiC）MOSFET

使用STPOWER SiC MOSFET创建比以往更高效、更紧凑的系统

借助STPOWER SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至1700 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。

我们的STPOWER SiC MOSFET的主要特点包括：

• 汽车级（AG）合格器件
• 超高温处理能力（max.T_J = 200 °C）
• 超高开关工作频率和极低开关损耗
• 低导通状态电阻
• 栅极驱动可兼容现有IC
• 稳定的超快速本体二极管

我们的STPOWER SiC MOSFET产品组合包括最先进的封装（HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK和HU3PAK），专为满足汽车和工业应用的严格要求而设计。

除了最新封装技术，我们的SiC MOSFET（包括G3器件）还可采用裸露晶片形式。符合最严格的汽车级要求（包括晶圆级老化（WLBI）和已知良好晶片（KGD）过程），裸露晶片可采用重构晶圆或卷盘封装。 查看我们的SiC创新和技术页面。