碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品

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SCTW100N120G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
SCT20N120H
碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247封装
SCTH100N120G2-AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
SCTWA50N120
碳化硅功率MOSFET，1200 V、65 A、59 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247长引线封装
SCT040W120G3
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
SCT015W120G3-4AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
SCTW40N120G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装
SCTH40N120G2V-7
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package
SCT018H65G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
SCTW35N65G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
SCTH60N120G2-7
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
SCT040W120G3-4
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
SCT50N120
碳化硅功率MOSFET，1200 V、65 A、59 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
SCTH100N65G2-7AG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、20 mOhm（典型值，95 A），H2PAK-7封装
SCT040H120G3-7
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
SCTWA90N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package
SCTW60N120G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 package
SCTWA60N12G2-4AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247-4 package
SCTWA40N120G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247 long leads package
SCTW60N120G2
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package
SCTWA40N12G24AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
SCTWA60N120G2-4
碳化硅功率MOSFET 1200 V、35 mOhm（典型值），60 A，HiP247封装
SCTWA60N120G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 long leads package
SCT070W120G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247 package
SCT070W120G3-4AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
SCT070HU120G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
SCT070H120G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
SCT025H120G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
SCT040W120G3-4AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、40 mOhm（典型值，40 A），HiP247-4封装
SCTWA70N120G2V
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
SCTH40N120G2V7AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），H2PAK-7封装
SCT1000N170
碳化硅功率MOSFET：55 A、1700 V、70 mOhm（典型值，Tj = 150 C），N沟道，HiP247封装
SCT012H90G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
SCT1000N170AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
SCT040H120G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
SCT20N170AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 64 mOhm typ., 43 A in an HiP247 package
SCT012W90G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247 package
SCT025W120G3-4AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
SCT027W65G3-4AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、40 mOhm（典型值），110 A，HiP247-4封装
SCTHS250N65G3
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mOhm typ., 237 A in a STPAK package
SCTW35N65G2V
碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装
SCTWA20N120
碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247长引线封装
SCTW70N120G2V
碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、22 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
SCTWA40N120G2V-4
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
SCT055H65G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
SCTL90N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package
SCTWA70N120G2V-4
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
SCT027H65G3AG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、40 mOhm（典型值），110 A，H2PAK-7封装
SCTWA40N120G2V
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
SCT055W65G3-4AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
SCTWA90N65G2V-4
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
SCT055HU65G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
SCT30N120
碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
SCT10N120
碳化硅功率MOSFET，1200 V、12 A、520 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
SCT30N120H
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-2 package
SCTW40N120G2V
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
SCT20N120AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247封装
SCTWA30N120
碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247长引线封装
SCT10N120AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、12 A、520 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
SCT011H75G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
SCTHS300N75G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 6.5 mOhm typ., 300 A in a STPAK package
SCT020H120G3AG
汽车级碳化硅功率MOSFET 1200 V、20 mOhm（典型值），90 A，H2PAK-7封装
SCTHS200N120G3AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 mOhm（典型值），90 A，TPAK封装
SCTW90N65G2V
碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装
SCTH90N65G2V-7
碳化硅功率MOSFET，650 V、116 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25°C），H2PAK-7封装
SCTH70N120G2V-7
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 90 A in an H2PAK-7 package
SCT070W120G3-4
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
SCT040W120G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
SCT20N170
碳化硅功率MOSFET：20 A、1700 V、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），N沟道，HiP247封装
SCTW100N65G2AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封装
SCTH35N65G2V-7
碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），H2PAK-7封装
SCTWA35N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 long leads package
SCTH35N65G2V-7AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），H2PAK-7封装
SCT040HU65G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
SCT018H65G3-7
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
SCT040H65G3SAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 straight leads package
SCT040H65G3-7
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
SCT070H120G3-7
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
SCT040H65G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
SCT20N120
碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247封装
SCTWA35N65G2V4AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
SCTWA35N65G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package
SCTL35N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package
SCTWA35N65G2V-4
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package

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