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  • This 10 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Qualified in low profile package, the STPSC10065DLF in PowerFLAT™ 8x8 HV, enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom and network, industrial or renewable energy domains.

    主要特性

    • Less-than-1mm height package
    • High creepage package
    • No or negligible reverse recovery
    • Temperature independent switching behavior
    • High forward surge capability
    • Very low drop forward voltage
    • Power efficient product
    • ECOPACK2 compliant component

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS13136
      650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode
      1.0
      391.29 KB
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      DS13136

      650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode

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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
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      AN3152
      The right technology for solar converters
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      AN5088

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      The right technology for solar converters

出版刊物和宣传资料

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      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0
      580.17 KB
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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
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      650 V SiC DIODES for industrial applications 1.0
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      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary) 1.0
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      AUTOMOTIVE-GRADE SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
      571.75 KB
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      Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters 2.0
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
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      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

      650 V SiC DIODES for industrial applications

      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary)

      AUTOMOTIVE-GRADE SiC diodes with very low forward voltage drop

      Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters

      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC10065DLF
批量生产
PowerFLAT 8x8 HV 工业 Ecopack2

STPSC10065DLF

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 8x8 HV - - 1.474 / 50
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CHINA

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NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 8x8 HV

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(最大值)

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1.474 / 50

Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

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