SL-DPSTPFC1

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3.6 kW 图腾柱PFC电路带浪涌电流限制器

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开关电源的电气标准要求越来越高的功率转换效率,这在大功率应用中往往意味着昂贵的有源功率因数校正级,用于改善市电交流供电线路的功率因数。

采用全数字控制的SL-DPSTPFC1无桥Totem Pole PFC已在全面的测试和测量中经过验证,可在宽输入电压和负载条件下提供低THD,并能达到近单位功率因数,适用于高效率数字电源应用。

STM32F334微控制器可在宽操作范围内实现精细的控制回路调节,并通过智能浪涌电流控制确保高系统可靠性。其丰富的外设组合以及totem pole架构有助于减少总物料清单以及后续解决方案成本与尺寸。

电源部分在高频管脚上采用性能极高的650V碳化硅功率MOSFET,并由STGAP2S电流隔离栅极驱动器驱动。低频管脚使用30A 1200V SCR晶闸管,以在上电或线路压降恢复时实现带有源电流限制的交流线路极性切换。

基于VIPer26LD高压转换器的flyback电路通过向电源和控制部分提供经调节的电压来完善设计。

包含供参考的完整固件应用程序,可根据特定应用要求进行修改。

  • 主要产品优势

    STM32F469AI高性能MCU

    基于STM32F4系列Cortex-M的微控制器采用FPU、高性能NVM和加速器技术,以其数字信号处理能力和高时钟速度而被用于管理来自振动和环境传感器的极高数据速率。

    SCTW35N65G2V功率MOSFET

    第2代碳化硅功率MOSFET(650V,45A,55 mΩ)具有极低的反向恢复损耗,这对于大功率totem pole解决方案中的低纹波电流CCM运行至关重要,此外还有在很大程度上不受结温影响的出色导通电阻和开关特性。

    STM32F334高性能32位MCU

    采用32位Arm® Cortex®-M4的此MCU系列非常适合在数字电源转换应用中(如D-SMPS)运行高度灵敏的逐周期电流控制算法和严格的电压调节。MCU采用可实现精确控制的高分辨率定时器、高速ADC,以及用于保护和信号调节的各种模拟接口。

     

    STGAP2S大功率栅极驱动器

    这款4A单栅极驱动器将大功率应用中的栅极驱动沟道与低压控制和接口电路隔离。不到80 ns的低传播延迟使其可确保高PFC控制精度,此外还具有UVLO和热关断保护与待机模式,可确保非常低的闲置功耗。

    TN3050H-12WY SCR晶闸管

    这款高度稳固的汽车级SCR晶闸管可提供具有高浪涌稳健性和电气瞬变耐受性的浪涌电流限制,而没有与使用NTC和机械继电器替代方案的体积与可靠性问题。

    • test 1
    • test 2
    VIPER26LD 800V MOFET

    这款击穿电压高达800 V的大功率MOSFET可确保具有更广的输入电压范围的高效辅助电源,并可以实现更小的漏极缓冲电路。

  • All Features

    • 极高的功率因数和低THD解决方案可确保高效率的电源
    • 符合EMC标准的稳固性设计,高达4kV的同时具有高开关寿命和更低的EMI排放
    • 使用SiC MOSFET可提高效率,并允许更紧凑的高输出功率设计
    • 采用STM32 MCU,具有高度的应用与操作灵活性,可确保精确与响应灵敏的数字控制
    • 通过主动软启动浪涌电流限制以及控制级与功率级之间的电流隔离来提高可靠性。