抗辐射栅驱动器

我们获得QML-V认证的抗辐射栅极驱动器系列采用意法半导体最先进的BCD6s SOI制造技术，具有更快速、更安全、更强大等特点，在辐射和恶劣环境下的性能更稳定可靠。

意法半导体的高频双低侧驱动器（抗辐射性能为100 krad(Si)，抗SEL性能可达70 MeV.cm²/mg）具有正极输出和负极输出版本，采用密封陶瓷封装；Flat-16采用行业标准引脚布局，而Flat-10则适用于尺寸经过优化的版本。

这些抗辐射栅极驱动器的宽电压范围让其可作为灵活的解决方案，能够在恶劣环境下与高电容MOSFET配合使用。