抗辐射栅驱动器

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我们获得QML-V认证的抗辐射栅极驱动器系列采用意法半导体最先进的BCD6s SOI制造技术,具有更快速、更安全、更强大等特点,在辐射和恶劣环境下的性能更稳定可靠。

意法半导体的高频双低侧驱动器(抗辐射性能为100 krad(Si),抗SEL性能可达70 MeV.cm2/mg)具有正极输出和负极输出版本,采用密封陶瓷封装;Flat-16采用行业标准引脚布局,而Flat-10则适用于尺寸经过优化的版本。

这些抗辐射栅极驱动器的宽电压范围让其可作为灵活的解决方案,能够在恶劣环境下与高电容MOSFET配合使用。