抗辐射栅驱动器

我们经QML-V的认证抗辐射栅极驱动器系列采用意法半导体先进的BCD6s SOI工艺制造，速度更快、安全性更高、功能更强大，并且在辐射和恶劣环境下性能更稳定。

意法半导体的高频双低侧驱动器抗辐射性能为100 krad(Si)，抗SEL性能可达70 MeV.cm²/mg，该产品具有正极输出和负极输出版本，采用密封陶瓷封装；Flat-16封装采用行业标准引脚布局，而Flat-10封装则适用于尺寸经过优化的版本。

该系列抗辐射栅极驱动器电源电压范围宽泛，灵活适应各种应用，能够在恶劣环境下用于驱动高电容MOSFET。