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ST 高可靠性、抗辐射功率 MOSFET 专门满足高可靠性要求和空间应用。 这些器件还经过  ESCC 技术规格认证, 符合 70 krad TID 辐射性能要求。 其击穿电压高达 100 V, 漏极电流为 48 A, RDS(on) 仅为 30 mΩ。
器件采用 TO-254AA 透孔密封封装。