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RF IPD标识

RF集成式无源器件(RF IPD)使用高阻率衬底来集成品质因数组件,如电容器和电感器。许多功能如阻抗匹配网络、谐波滤波器、耦合器、巴伦和功率组合器/分隔器均可使用IPD技术来设计。意法半导体的IPD使用薄膜和HiRes Si或玻璃晶圆制造技术和光刻加工制造。

集成式无源器件(IPD)

意法半导体的IPD工艺能够将高质量无源元件(电阻器、电感器、电容器)集成在采用各种设计配置的玻璃砂高电阻率硅衬底上。

先进设计系统(ADS)

ADS涵盖了新无线应用的广泛频谱和功率需求。

完整的ADS套件包括布局和有效的EM仿真支持。合作伙伴现在可以利用意通过法半导体的RF IPD代工服务所提供的意法半导体卓越IPD工艺和设计工具。

高品质的RF集成无源工艺

意法半导体的高品质RF集成无源工艺非常适合无源器件,如匹配网络、滤波器匹配的巴伦、耦合器、功率组合器、多路复用器和混合网络。

它们用于对成本敏感具有高效率要求的不同类型的RF应用。


匹配的巴伦

巴伦设计

巴伦有助于平衡不平衡的信号。它们使用意法半导体的RF IPD工艺,将高品质的无源RF组件集成到单玻璃基板上。除了对称/非对称转换以外,匹配网络也可以集成到小于1 mm2的尺寸中,以实现全部功能。

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RF滤波器

滤波器设计

RF滤波器用于RF前端中的带通滤波器以及低通高通滤波器等功能。借助意法半导体的薄膜RF IPD工艺,可将高品质的无源RF组件集成到单玻璃或高阻率硅衬底中,从而能够将RF滤波器轻松集成到前端模块中。

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我们的IPD技术能够覆盖168 MHz及以上频率范围的所有射频应用,如:

sub-giga产品 超宽带 Zigbee产品 蓝牙低功耗网络协处理器 wifi徽标 wimax徽标 4G徽标 5G徽标

意法半导体RF前端的主要优势:

  • 对离散解决方案的卓越过程控制
  • 很有竞争力的成本结构(成本低于GaA和离散解决方案)
  • 体积小:
    • 面积小于离散解决方案
    • 比LTCC更薄
  • 降低了功率损耗
  • 全面的设计套件
  • 高效的设计服务
  • 快速的晶圆短程运输服务
意法半导体的IPD

意法半导体的IPD可用作独立产品,如巴伦和滤波器以及代工服务。它们兼容不同的装配模式(包括CSP、微步进和引线接合法),适用于安装在主印刷接线板(PWB)或完整RF模块内。