STW81200

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宽带分数整数N分频集成合成器

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The STW81200 is a dual architecture frequency synthesizer (Fractional-N and Integer-N), that features three low phase-noise VCOs with a fundamental frequency range of 3.0 GHz to 6.0 GHz and a programmable dual RF output divider stage which allows coverage from 46.875 MHz to 6 GHz.

The STW81200 optimizes size and cost of the final application thanks to the integration of low- noise LDO voltage regulators and internally-matched broadband RF outputs.

The STW81200 is compatible with a wide range of supply voltages (from 3.0 V to 5.4 V) providing to the end user a very high level of flexibility which trades off excellent performance with power dissipation requirements. A low-power functional mode (software controlled) gives an extra power saving.

Additional features include crystal oscillator core, external VCO mode and output-mute function.

  • 所有功能

    • Output frequency range: 46.875 to 6000 MHz
    • Very low noise
      • Normalized in band phase noise floor: -227 dBc/Hz
      • VCO phase noise: -135 dBc/Hz @ 1 MHz offset, 4.0 GHz carrier
      • Noise floor: -160 dBc/Hz
    • Dual architecture frequency synthesizer: Fractional-N and Integer-N
    • Integrated VCOs with automatic center frequency calibration
    • Programmable RF output dividers by 1/2/4/8/16/32/64
    • Dual RF Output broadband matched with programmable power level and mute function
    • External VCO option with 5 V charge pump
    • Integrated low noise LDO voltage regulators
    • Maximum phase detector frequency: 100 MHz
    • Exact frequency mode
    • Fast lock and cycle slip reduction
    • Differential reference clock input (LVDS and LVECPL compliant) supporting up to 800 MHz
    • 13-bit programmable reference frequency divider
    • Programmable charge pump current
    • Digital lock detector
    • Integrated reference crystal oscillator core
    • R/W SPI interface
    • Logic compatibility/tolerance 1.8 V/3.3 V
    • Low power functional mode
    • Supply voltage: 3.0 V to 5.4 V
    • Small size exposed pad VFQFPN36 package 6 x 6 x 1.0 mm
    • Process: BICMOS 0.25 μm SiGe

电路原理图

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STW81200T
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STW81200TR
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STW81200T

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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