600V/650V車載用MDmesh™ DM9スーパージャンクション･パワーMOSFET
高電力密度で効率を改善
A step forward in hard and soft switching and improved system ruggedness with fast intrinsic diode
STの600V/650V車載用MDmesh DM9パワーMOSFETは、優れたRDS(on)およびQgと、小さいリカバリ電荷、リカバリ時間を特徴としています。優れた静的パフォーマンスと動的パフォーマンスを備えた本デバイスは、ターンオフおよびターンオン･スイッチング･パワー損失を減らすため、結果として非常に高効率なブリッジ･トポロジとZVS位相シフト･コンバータを実現できます。H2PAK-2Lパッケージで提供されるSTH60N099DM9-2AGは、初の量産DM9 AGデバイスです。
Key features
- AEC-Q101 qualified
- Low Qg and RDS(on)
- Fast recovery intrinsic diode
- Extremely high dv/dt ruggedness (120 V/ns)
- Extremely high di/dt ruggedness (1300 A/µs)
Key applications
On-board chargers (OBC)
DC/DC converters
Auxiliary power supply
Recommended resources
STの車載用MDmesh DM9スーパージャンクションMOSFETで、シリコン･パワー･パフォーマンスを向上
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プレスリリース
STの600V/650V車載用MDmesh™ DM9パワーMOSFETは、ハードおよびソフト･スイッチング･トポロジの両方で、オンボード･チャージャやDC-DCコンバータ･アプリケーションに優れた効率と堅牢性をもたらします。
幅広いパワー･マネージメント･ソリューションを実現するためのヒントが記載されているSTのパワー･マネージメント･ガイド
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カタログ
パワー･マネージメント･ソリューションにおいて30年以上技術革新を行ってきたSTは、パワーおよびエネルギー･マネージメント用に、最先端の広範な製品群を提供しています。 STのパワー･マネージメント･ガイドには、システムの最適な設計に役立つリソースやソリューションに関する重要な情報が記載されています。