SiC MOSFETおよびIGBT用の高度なガルバニック絶縁ゲート・ドライバ

高効率のパワー・ステージを設計する場合、スイッチング性能と同等の注意を払う必要があるのが、ゲート・ドライバの堅牢性と保護機能です。STGAP3Sシリーズは、絶縁耐圧最大1200VのSiC MOSFETIGBTを駆動でき、強力な絶縁特性と高速に応答する保護機能を備え、さまざまなパワー・ステージ・アーキテクチャに柔軟に適応します。要求の厳しい産業用機器やエネルギー関連のアプリケーション向けに開発され、高いCMTI、DESAT保護、ミラー・クランプ、ソフト・ターンオフ機能を提供するデバイスも用意されています。

STGAP3Sシリーズ:大電流容量と高度な保護機能を備えた堅牢なゲート・ドライバ

STGAP3S3IF

チューニング可能なソフト・ターンオフ機能を備えた3Aガルバニック絶縁SiCゲート・ドライバ

チューニング可能なソフト・ターンオフ機能を備えた3Aガルバニック絶縁SiCゲート・ドライバ

STGAP3S3Sシリーズは、絶縁耐圧最大1200VのSiC MOSFETを駆動できます。3Aの内部ミラー・クランプ、専用の9V DESAT保護回路、VDD/VHのUVLO機能、最大9.6kVの過渡電圧と最大200V/nsのCMTIに耐える強化されたガルバニック絶縁、ソフト・ターンオフ機能などのすべてを集積化してコンパクトなパッケージで提供します。要求の厳しい産業機器およびエネルギー関連のアプリケーションで高効率の電力変換を実現するために開発されたドライバです。

STGAP3S3IF

DESAT保護機能を備えた3Aガルバニック絶縁IGBTゲート・ドライバ

DESAT保護機能を備えた3Aガルバニック絶縁IGBTゲート・ドライバ

STGAP3S3IFは、絶縁耐圧最大1200VのIGBTやSi MOSFET向けに最適化され、要求の厳しい電力変換設計の保護能力と信頼性を強化します。モータ・ドライバ、インバータ、産業用電力変換などのアプリケーション向けに、3Aの内部ミラー・クランプ、専用の9V DESAT保護回路、最大9.6kVの過渡電圧と最大200V/nsのCMTIに耐える強化されたガルバニック絶縁などのすべてを集積化してコンパクトなパッケージで提供します。

STGAP3Sシリーズの主な特徴

  • BCD9Sガルバニック絶縁テクノロジー
  • 高耐圧:最大1200V
  • ドライバ電流:3A、6A、10A
  • SiC MOSFETおよびIGBTを駆動
  • DESAT保護
  • 小型SO16Wパッケージ
  • 調整可能なソフト・ターンオフ機能
  • 高速応答:遅延時間75ns
  • ミラー・クランプ機能
  • オプションの負ゲート駆動
  • CMTI:±200V/ns

アプリケーション例

air-conditioning

エアコン

energy-storage-system

蓄電システム

factory-automation

FA(ファクトリ・オートメーション)

charging-stations

充電ステーション

適切なスイッチング・テクノロジー向けに設計を最適化

SiCスイッチは、高いスイッチング周波数、効率の最大化、高温動作、コンパクトなフォーム・ファクタでの電力密度の向上を必要とする設計に適しています。

一方、IGBTはコスト重視の設計、20kHz未満のスイッチング周波数、大電流または中程度の電圧のモジュールを必要とし、成熟したサプライチェーンを活用したり、長期にわたって品質を保証したりするアプリケーションでは、依然として極めて有力な選択肢です。IGBTは許容短絡時間が長いため、保護回路の設計を簡素化できるというメリットも提供します。

 

対象スイッチ

ソフトオフ

IGATE

ミラー・クランプ

パッケージ

STGAP3SXI

IGBT

あり(調整可能)

10A

外部Nチャネル用ドライバ

SO16W

STGAP3S6I

IGBT

あり(調整可能)

6A

外部Nチャネル用ドライバ

SO16W

STGAP3S3IF

IGBT

なし

3A

3A

SO16W

STGAP3SXS

SiC

あり(調整可能)

10A

外部Nチャネル用ドライバ

SO16W

STGAP3S6S

SiC

あり(調整可能)

6A

外部Nチャネル用ドライバ

SO16W

STGAP3S3S

SiC

あり(調整可能)

3A

3A

SO16W

適切なスイッチング・テクノロジー向けに設計を最適化

 

対象スイッチ

ソフトオフ

IGATE

ミラー・クランプ

パッケージ

STGAP3SXI

IGBT

あり(調整可能)

10A

外部Nチャネル用ドライバ

SO16W

STGAP3S6I

IGBT

あり(調整可能)

6A

外部Nチャネル用ドライバ

SO16W

STGAP3S3IF

IGBT

なし

3A

3A

SO16W

STGAP3SXS

SiC

あり(調整可能)

10A

外部Nチャネル用ドライバ

SO16W

STGAP3S6S

SiC

あり(調整可能)

6A

外部Nチャネル用ドライバ

SO16W

STGAP3S3S

SiC

あり(調整可能)

3A

3A

SO16W

SiCスイッチは、高いスイッチング周波数、効率の最大化、高温動作、コンパクトなフォーム・ファクタでの電力密度の向上を必要とする設計に適しています。

一方、IGBTはコスト重視の設計、20kHz未満のスイッチング周波数、大電流または中程度の電圧のモジュールを必要とし、成熟したサプライチェーンを活用したり、長期にわたって品質を保証したりするアプリケーションでは、依然として極めて有力な選択肢です。IGBTは許容短絡時間が長いため、保護回路の設計を簡素化できるというメリットも提供します。

評価開発エコシステム

絶縁耐圧最大1200VのIGBTやSiCとSTGAP3S向けの評価ボード

 

デバイス

STGAP3Sシリーズ

データ・ブリーフ

eStore

EVLSTGAP3SXS-H

STGAP3SXS

10A SiC向け、ソフト・ターンオフ機能搭載

EVLSTGAP3SXI

STGAP3SXI

10A IGBT向け、ソフト・ターンオフ機能搭載

EVLSTGAP3S6S

STGAP3S6S

6A SiC向け、ソフト・ターンオフ機能搭載

EVLSTGAP3S6I

STGAP3S6I

6A IGBT向け、ソフト・ターンオフ機能搭載

EVLSTGAP3S3S

STGAP3S3S

3A SiC向け、ソフト・ターンオフ機能搭載

EVLSTGAP3S3IF

STGAP3S3IF

3A IGBT向け