SiC MOSFETおよびIGBT用の高度なガルバニック絶縁ゲート・ドライバ

STGAP3S:大電流容量と高度な保護機能を備えた堅牢なゲート・ドライバ

STGAP3S:大電流容量と高度な保護機能を備えた堅牢なゲート・ドライバ

産業用およびエネルギー・アプリケーション向けに開発されたSTGAP3Sシリーズは、高速のDESAT保護機能と柔軟なミラー・クランプ機能を搭載しています。高いCMTI(同相過渡電圧耐性)を備えたゲート・ドライバとして、電流容量や保護機能に対する最新の要件を満足します。STGAP3Sシリーズには、10Aと6Aの電流容量オプションがあり、それぞれにSiC MOSFETおよびIGBT専用のUVLOオプションが用意されています。

主な機能

  • BCD9Sガルバニック絶縁テクノロジー
  • 高耐圧:最大1200V
  • ドライバ電流:6Aおよび10A
  • SiC MOSFETおよびIGBTを駆動
  • DESAT保護
  • 調整可能なソフト・ターンオフ機能
  • 高速応答:遅延時間75ns
  • ミラー・クランプ機能
  • オプションの負ゲート駆動
  • CMTI:±200V/ns

アプリケーション例

air-conditioning

エアコン

energy-storage-system

蓄電システム

factory-automation

FA(ファクトリ・オートメーション)

charging-stations

充電ステーション

評価開発エコシステム

STGAP3S絶縁シングル・ゲート・ドライバの評価用に設計された評価ボード

EVLSTGAP3S6S

EVLSTGAP3S6S

SiC MOSFET向け保護機能搭載絶縁ゲート・ドライバSTGAP3S6S用のハーフブリッジ評価ボード

EVLSTGAP3SXS-H

EVLSTGAP3SXS-H

SiC MOSFET向け保護機能搭載絶縁ゲート・ドライバSTGAP3SXS用のハーフブリッジ評価ボード