高効率のパワー・ステージを設計する場合、スイッチング性能と同等の注意を払う必要があるのが、ゲート・ドライバの堅牢性と保護機能です。STGAP3Sシリーズは、絶縁耐圧最大1200VのSiC MOSFETやIGBTを駆動でき、強力な絶縁特性と高速に応答する保護機能を備え、さまざまなパワー・ステージ・アーキテクチャに柔軟に適応します。要求の厳しい産業用機器やエネルギー関連のアプリケーション向けに開発され、高いCMTI、DESAT保護、ミラー・クランプ、ソフト・ターンオフ機能を提供するデバイスも用意されています。
STGAP3Sシリーズ:大電流容量と高度な保護機能を備えた堅牢なゲート・ドライバ
チューニング可能なソフト・ターンオフ機能を備えた3Aガルバニック絶縁SiCゲート・ドライバ
チューニング可能なソフト・ターンオフ機能を備えた3Aガルバニック絶縁SiCゲート・ドライバ
STGAP3S3Sシリーズは、絶縁耐圧最大1200VのSiC MOSFETを駆動できます。3Aの内部ミラー・クランプ、専用の9V DESAT保護回路、VDD/VHのUVLO機能、最大9.6kVの過渡電圧と最大200V/nsのCMTIに耐える強化されたガルバニック絶縁、ソフト・ターンオフ機能などのすべてを集積化してコンパクトなパッケージで提供します。要求の厳しい産業機器およびエネルギー関連のアプリケーションで高効率の電力変換を実現するために開発されたドライバです。
DESAT保護機能を備えた3Aガルバニック絶縁IGBTゲート・ドライバ
DESAT保護機能を備えた3Aガルバニック絶縁IGBTゲート・ドライバ
STGAP3S3IFは、絶縁耐圧最大1200VのIGBTやSi MOSFET向けに最適化され、要求の厳しい電力変換設計の保護能力と信頼性を強化します。モータ・ドライバ、インバータ、産業用電力変換などのアプリケーション向けに、3Aの内部ミラー・クランプ、専用の9V DESAT保護回路、最大9.6kVの過渡電圧と最大200V/nsのCMTIに耐える強化されたガルバニック絶縁などのすべてを集積化してコンパクトなパッケージで提供します。
STGAP3Sシリーズの主な特徴
- BCD9Sガルバニック絶縁テクノロジー
- 高耐圧:最大1200V
- ドライバ電流:3A、6A、10A
- SiC MOSFETおよびIGBTを駆動
- DESAT保護
- 小型SO16Wパッケージ
- 調整可能なソフト・ターンオフ機能
- 高速応答:遅延時間75ns
- ミラー・クランプ機能
- オプションの負ゲート駆動
- CMTI:±200V/ns
アプリケーション例
適切なスイッチング・テクノロジー向けに設計を最適化
SiCスイッチは、高いスイッチング周波数、効率の最大化、高温動作、コンパクトなフォーム・ファクタでの電力密度の向上を必要とする設計に適しています。
一方、IGBTはコスト重視の設計、20kHz未満のスイッチング周波数、大電流または中程度の電圧のモジュールを必要とし、成熟したサプライチェーンを活用したり、長期にわたって品質を保証したりするアプリケーションでは、依然として極めて有力な選択肢です。IGBTは許容短絡時間が長いため、保護回路の設計を簡素化できるというメリットも提供します。
適切なスイッチング・テクノロジー向けに設計を最適化
SiCスイッチは、高いスイッチング周波数、効率の最大化、高温動作、コンパクトなフォーム・ファクタでの電力密度の向上を必要とする設計に適しています。
一方、IGBTはコスト重視の設計、20kHz未満のスイッチング周波数、大電流または中程度の電圧のモジュールを必要とし、成熟したサプライチェーンを活用したり、長期にわたって品質を保証したりするアプリケーションでは、依然として極めて有力な選択肢です。IGBTは許容短絡時間が長いため、保護回路の設計を簡素化できるというメリットも提供します。
評価開発エコシステム
絶縁耐圧最大1200VのIGBTやSiCとSTGAP3S向けの評価ボード
| デバイス | STGAP3Sシリーズ | データ・ブリーフ | eStore |
|---|---|---|---|---|
| STGAP3SXS | 10A SiC向け、ソフト・ターンオフ機能搭載 | |||
| STGAP3SXI | 10A IGBT向け、ソフト・ターンオフ機能搭載 | |||
| STGAP3S6S | 6A SiC向け、ソフト・ターンオフ機能搭載 | |||
| STGAP3S6I | 6A IGBT向け、ソフト・ターンオフ機能搭載 | |||
| STGAP3S3S | 3A SiC向け、ソフト・ターンオフ機能搭載 | |||
| STGAP3S3IF | 3A IGBT向け |