8Mbit～32Mbit
次世代メモリ：
シリアルFlash & EEPROM：双方をつなぐブリッジ
シリアルFlash & EEPROM：双方をつなぐブリッジ
シリアルFlashメモリは、高速動作に対応した大容量（1Mbit～2Gbit）メモリであり、ファームウェア管理を簡素化します。EEPROMは、高いデータ書き換え耐性とデータ保持特性を備えた超低消費電力メモリです。堅牢で信頼性の高いEEPROMは、データのモニタリングや重要なパラメータの格納に最適です。
シリアルFlashとEEPROMのどちらを選択するのかについては、複雑なトレードオフが必要でした。STのページEEPROMのイノベーションは、この状況を改革します。
Serial Flash & EEPROM: What if a bridge existed?
Serial Flash & EEPROM: What if a bridge existed?
Serial Flash memories are high-density (1 Mbit-2 Gbit) with high-speed operation, which simplifies firmware management. EEPROMs are ultralow power memories with high cycling endurance and retention. Robust and reliable, EEPROMs are ideal for monitoring data and storing sensitive parameters.
Selecting between a Serial Flash and an EEPROM once involved complex trade-offs.
ST's Page EEPROM innovation is changing that.
ページEEPROM：バッテリ駆動デバイスに最適な選択
ページEEPROMは、その超低消費電力性能により、IoTトラッカ、ウェアラブル機器、モニタリング機器や医療機器、小型カメラ･モジュールなどのバッテリ駆動アプリケーションに最適な選択肢です。ページEEPROMには、3種類の容量（32Mbit、16Mbit、および8Mbit）があります。
シリアルFlashメモリとEEPROMメモリのメリットを兼ね備えたページEEPROMでは、シリアルFlashと同様のアプリケーション･ファームウェアを管理する柔軟性を実現しながら、EEPROMと同様の高いデータ･ロギング機能を提供します。
主なメリット
容易なデータ･ロギング
FOTAダウンタイムの短縮
バッテリの長寿命化
主な機能
- 32Mbit、16Mbit、および8Mbitの3種類の容量
- 512バイトのページによる高いバイト書き込み柔軟性
- 1.6V～3.6V
- 動作温度範囲：-40℃～+105℃
- 10 MHzでの読取り時：0.5mA
- 標準ページ･ライト時間：2.5ms
- 標準ページ消去時間：1.1ms
- 標準ページ･プログラム時間：1.2ms
- ページ当たりの書込み回数：50万回
- エラー訂正コードと100年のデータ保持期間
用途に合ったページEEPROMを選択
標準SPIページEEPROMメモリ拡張ボード
標準SPIページEEPROMメモリ拡張ボード
M95P32 SPIページEEPROMを備えたX-NUCLEO-PGEEZ1拡張ボードを使って、新しいアプリケーションを設計しましょう。この拡張ボードは、STM32 Nucleoボード上に接続できます（ZIOおよびArduino® UNO R3コネクタを使用）。