STPOWER SiC MOSFETの高速で簡単な性能評価
STDES-SICGP4リファレンス設計では、ハーフブリッジ･トポロジに対応し、HiP247-4（4リード）パッケージに格納されたパワーSiC MOSFETのスイッチング性能と熱性能を評価できます。このMOSFETは、絶縁DC-DCコンバータから提供される絶縁型ゲート･ドライバで制御されます。
本設計には、ダブル･パルス･テスト（DPT）環境を実装したり、降圧またはブースト設定でのSiC動作を試したりするために必要な要素が含まれています。最終製品には、外部インダクタ、電源、負荷、補助電源、PWM信号などが必要です。ボードには、外部同軸シャント･コネクタが付属しています。
