VGS=10V時の最大オン抵抗が4.6mΩとなるNチャネル･エンハンスメント･モード標準レベル100VパワーMOSFETを、PowerFLAT 5x6パッケージで提供
この産業用NチャネルMOSFETは、最新のSTPOWER STripFET F8テクノロジーと新しい酸素充填式トレンチ･テクノロジーが特徴です。導通損失が非常に低く、ゲート電荷も低いため、きわめて優れたスイッチング性能を発揮します。
STL120N10F8は、これまでの世代のデバイスと比べ、性能指数が40%増加しています。モータ制御アプリケーション、通信およびコンピュータ･システム向け電源 & コンバータ、LEDと低電圧照明、さらにはコンスーマ機器と電動工具などのバッテリ駆動デバイスで、主な効率の向上とEMIの低減を実現します。
主な機能
- STの100V MOSFETとして面積当たり最高のオン抵抗をPowerFLAT 5x6で提供
- ゲート電荷当たりのオン抵抗に関し、従来の100V MOSFETシリーズと比べてFOM（性能指数）が40%低下し、最良の競合製品と匹敵する水準になりました
- デバイスの静電容量を低く抑えることで、ゲート･ドレイン間電荷量などの動的パラメータを最小化し、優れたスイッチング速度を確保してシステム効率を高めます
