STL320N4LF8パワーMOSFETは、電力変換、モータ制御、パワー・ディストリビューション回路の省電力化および低ノイズ化を実現します。
このNチャネル低電圧パワーMOSFETは、ボディ・ダイオード特性を最適化すると同時に、オン抵抗とスイッチング損失の両方を削減します。システム設計が簡素化され、幅広い産業用アプリケーションの効率を改善します。
主な機能
デバイスの静電容量を低く抑えることで、ゲート・ドレイン間電荷量などの動的パラメータが最小化され、優れたスイッチング速度を保証しシステム効率を高めます。
アプリケーション例
関連情報
PowerFLAT(5mm x 6mm)パッケージで提供される、業界初のサブmΩ低電圧パワーMOSFETのメリットをご紹介します。
STの低電圧MOSFETは、ボディ・ダイオード特性を最適化すると同時に、オン抵抗とスイッチング損失の両方を削減し、電力変換、モータ制御、パワー・ディストリビューションなどのアプリケーションの省電力化および低ノイズ化を実現します。