車載グレードの上面冷却型パワー・パッケージ & モジュール

HU3PAK、ACEPACK SMIT、および ACEPACK DMT-32

電力密度と
熱管理向けに最適化

今日の厳しい市場要求に応えるため、STのHU3PAKおよびACEPACK SMIT SMDパッケージは、ACEPACK DMT-32挿入型パワー・モジュールとともに、上面冷却型(TSC)を特徴とし、特に、より高い電力密度、改善された熱管理、および容易な実装を実現するように設計されています。これらの特徴によって、高電力を扱う車載用および産業用アプリケーションにとって理想的となっています。

 

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設計性能の
課題に対応

最適な上面冷却型ソリューションを選択することは、電力密度、熱管理の要件、PCBと冷却システムの設計上の考慮事項、効率とコストの目標を満たすための特定のアプリケーション要件など、さまざまな要因に影響される複雑な意思決定となる場合があります。

3つのパッケージと以下のモジュール・オプションの中から的確な情報に基づいて選択できるように、STのウェビナーをご活用ください。

優れた熱性能を実現する上面冷却型HU3PAKディスクリート・パッケージ

HU3PAKは、プリント基板への表面実装用に設計されており、その上面は外部ヒートシンクに接続されます。この設計により、熱性能が最適化され、H2PAK / D2PAKパッケージのようなプリント基板を通しての放熱が必要なくなり、デバイスは最大の電力を処理することができます。

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主な機能

主な機能

  • 上面冷却型の低背、表面実装(SMD)パッケージ
  • AEC-Q101準拠
  • 電圧定格:最大1200V
  • 低い熱抵抗
  • 低インダクタンス設計用ケルビン・ソース・ピン
  • パッケージの高さ:3.5mm、タブ(非絶縁)

HU3PAKパッケージで使用可能なパワー・デバイス:

IGBT

高効率、高速スイッチング:

 

Si & SiC MOSFET

効率的、高速スイッチング:

 

ダイオード

信頼性が高く、高効率:

サイリスタ(SCR)

高電力に対応、整流を制御:

絶縁上面冷却型のACEPACK SMITパワー・モジュール・パッケージは、拡張性の高いソリューションです。

ACEPACK SMITパワー・モジュールは、上面にダイレクト・ボンド・カッパー(DBC)によるセラミック金属-絶縁-金属基板を使用することで、ヒートシンクとの熱結合を強化しています。  電気的寄生インダクタンスと熱抵抗が低いため、1kW~50kWの電力範囲で、シングル・スイッチからマルチ・ダイ・トポロジまでのさまざまな電気回路ソリューションに対応します。このエポキシ成形材料は、車載および産業用アプリケーションで優れた耐湿性と耐熱性を発揮します。

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主な機能

主な機能

  • 絶縁上面冷却型の表面実装(SMD)パッケージ
  • 絶縁セラミックの底面(UL認証取得済み)
  • ダイレクト・ボンド・カッパー(DBC)基板上の半導体ダイ
  • 内部ダイ構成に応じてAQG-324とAEC-Q101の規格に準拠
  • 電圧定格:最大1200V
  • ケルビン・ソース・ピンが使用可能
  • ハロゲンフリー成形材料

ACEPACK SMITパッケージで使用可能なパワーデバイス:

IGBT

高効率、高速スイッチング:

 

Si & SiC MOSFET

高効率、高速スイッチング:

 

ダイオード

信頼性が高く、高効率:

サイリスタ(SCR)

高電力に対応、整流を制御:

高集積ソリューション向け、上面冷却型ACEPACK DMT-32パワー・モジュール

ACEPACK DMT-32は、BEV/HEV車載用および産業用アプリケーション向けに設計されたデュアル・インライン・モールド挿入型32ピン・パワー・モジュールです。STの先進的なSiCテクノロジーを活用し、オンボード・チャージ(OBC)、DC-DCコンバータ、液体ポンプ、エアコン、太陽光発電、モータ・ドライブなどの幅広い電力アプリケーションに対応しています。窒化アルミニウム(AlN)をベースにしたダイレクト・ボンド・カッパー(DBC)パッケージが、高い熱伝導、低い熱抵抗、高い電気的絶縁を確保します。

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主な機能

主な機能

  • 成形加工、上面冷却型の電気的絶縁
  • デュアル・インライン&千鳥ピン配列、挿入型32ピン・パワー・モジュール
  • AIN絶縁基板による最適な熱性能
  • AQG 324認定済み
  • 電圧定格:最大1200V
  • NTCセンサ内蔵

オンデマンド・ウェビナー

STの先進的なパワーおよびパッケージ・テクノロジーで自動車の電動化アプリケーションを最適化

2025年4月10日(木)
► 3:00 pm CEST | ヨーロッパ・中東・アフリカ地域セッション
► 2:00 pm EDT | 米国地域セッション