STマイクロエレクトロニクス、 5 x 6 mmの小型両面放熱パッケージで提供される 車載用パワーMOSFETを発表


Geneva / 22 May 2017

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST )は、車載用電子制御ユニット(ECU)の電力密度を高める先進的な両面放熱(DSC : dual-side cooling)パッケージ PowerFLATTM 5x6 DSCで提供される最新のパワーMOSFET を発表しました。この新しいパワーMOSFETは、大手自動車メーカーのすべてに先進的な自動車技術を提供する自動車部品サプライヤの株式会社デンソーに採用されています。 STマイクロエレクトロニクス、 5 x 6 mmの小型両面放熱パッケージで提供される 車載用パワーMOSFETを発表

STLD200N4F6AGおよびSTLD125N4F6AGは、車載用モータ制御アプリケーションや、バッテリ逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFETです。PowerFLATTM 5x6 DSCパッケージ(高さ : 0.8mm)は、標準パッケージと同等の実装面積と下面からの熱効率を維持すると同時に、上面のソース電極を露出することで放熱性がさらに向上しています。これにより、電力密度を向上させる高い定格電流を実現できるため、機能、性能および信頼性を低下させることなく、小型ECUの設計が可能になります。

STLD200N4F6AG(ドレイン電流 : 最大120A、オン抵抗 : 最大1.5mΩ)およびSTLD125N4F6AG(ドレイン電流 : 最大120A、オン抵抗 : 最大3.0mΩ)は、高い電力効率を発揮し、システムの熱管理の簡略化に役に立ちます。さらに、ゲート電荷の合計は、それぞれ172nCと91nCで低容量を実現しており、高い動作周波数での効率的なスイッチングを可能にします。

これら2品種の40V耐圧パワーMOSFETは、トレンチゲート構造のSTのSTripFET™ F6を採用した新製品ファミリの最初の製品で、車載アプリケーション用に広範な定格電流および定格電圧を提供しています。これらの新製品は、最大内部温度175°Cなど、極めて過酷な環境での動作に対応するよう設計されています。また、100%のアバランシェ試験済みで、半田付け実装後に完全な自動光学検査が可能なウェッタブル・フランク・リードのパッケージで提供されます。

STLD200N4F6AGおよびSTLD125N4F6AGは、AEC-Q101規格の認定を取得済みで、現在入手可能です。単価は、1000個購入時に約1.15ドルです。また、今年中に、STripFET™ F7を採用した新製品が同製品ファミリに追加される予定です。

詳細については、www.st.com/mosfetsをご覧ください。

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