STマイクロエレクトロニクス、高速リカバリ・ダイオード内蔵の新しいMDmesh™パワーMOSFETを発表

 


Geneva / 15 May 2017

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST) は、スーパージャンクション型の超高耐圧パワーMOSFET「MDmesh™ DK5シリーズ」の新製品を発表しました。高速リカバリ・ダイオードの優れた特性を活かした同製品は、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)を備えたLLC共振コンバータを含む多様な電力変換トポロジの効率を最大化します。
<p>STマイクロエレクトロニクス、高速リカバリ・ダイオード内蔵の新しいMDmesh™パワーMOSFETを発表</p>
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この新しいスーパージャンクション型のパワーMOSFET(定格電圧:950V~1050V)は、通常のプレーナ型のパワーMOSFETに比べて、ダイ面積あたりのオン抵抗(RDS(ON))が低く、定格電流が高いことに加え、優れたスイッチング特性を備えています。同製品は、大電力装置用コンバータ(高バス電圧で動作する通信・データセンター用サーバ、工業用溶接機、プラズマ発生機、高周波誘導加熱器、X線装置など)において、電力効率を向上させると共に、併用部品を減らして電力密度を向上させることができます。

高速リカバリ・ダイオードを内蔵する新製品は、幅広い入力電圧範囲で高い効率が要求されるアプリケーションで使われるZVS LLC共振コンバータの高効率化を可能にします。また、その他のブリッジ型コンバータやバッテリ充電用のブーストDC-DCコンバータにも、低損失と優れたダイナミック特性というメリットを提供します。現在入手可能な高速ダイオード内蔵の超高耐圧パワーMOSFETと比べて、STのMDmesh DK5パワーMOSFETは、クラス最高の逆回復時間(trr)と最小のMOSFETゲート電荷(Qg)およびRDS(ON)を実現し、スーパージャンクション型パワーMOSFETとして最適な入出力容量特性(Coss、Ciss)を兼ね備えています。

STのスーパージャンクション型の超高耐圧パワーMOSFET(800V~1500V)を拡充するMdmesh DK5ファミリは、6種類の新製品で構成され、TO-247、TO-247(ロング・リード)、Max247およびISOTOPパワー・パッケージで提供されます。STWA40N95DK5、STY50N105DK5およびSTW40N95DK5は現在量産中で、単価は1000個購入時に約8.85ドルです。

詳細については、www.st.com/mdmeshdk5をご覧ください。

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