600V/650V車載用MDmesh™ DM9スーパージャンクション・パワーMOSFET

高電力密度で効率を改善

一歩進んだハードおよびソフト・スイッチング、さらに高速な固有ダイオードによるシステム耐久性の向上

STの600V/650V車載用MDmesh DM9パワーMOSFETは、優れたRDS(on)およびQgと、小さいリカバリ電荷、リカバリ時間を特徴としています。優れた静的パフォーマンスと動的パフォーマンスを備えた本デバイスは、ターンオフおよびターンオン・スイッチング・パワー損失を減らすため、結果として非常に高効率なブリッジ・トポロジとZVS位相シフト・コンバータを実現できます。H2PAK-2Lパッケージで提供されるSTH60N099DM9-2AGは、初の量産DM9 AGデバイスです。

主な機能

  • AEC-Q101準拠
  • 低いQgおよびRDS(on)
  • ファスト・リカバリ固有ダイオード
  • きわめて堅牢なdv/dt特性(120V/ns)
  • きわめて堅牢なdi/dt特性(1,300A/µs)

主なアプリケーション

オンボード・チャージャ(OBC)

DC/DC converter

DC-DCコンバータ

補助電源

関連情報

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STの車載用MDmesh DM9スーパージャンクションMOSFETで、シリコン・パワー・パフォーマンスを向上

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プレスリリース

STの600V/650V車載用MDmesh™ DM9パワーMOSFETは、ハードおよびソフト・スイッチング・トポロジの両方で、オンボード・チャージャやDC-DCコンバータ・アプリケーションに優れた効率と堅牢性をもたらします。

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幅広いパワー・マネージメント・ソリューションを実現するためのヒントが記載されているSTのパワー・マネージメント・ガイド

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カタログ

パワー・マネージメント・ソリューションにおいて30年以上技術革新を行ってきたSTは、パワーおよびエネルギー・マネージメント用に、最先端の広範な製品群を提供しています。  STのパワー・マネージメント・ガイドには、システムの最適な設計に役立つリソースやソリューションに関する重要な情報が記載されています。