600V/650V車載用MDmesh™ DM9スーパージャンクション･パワーMOSFET
より高電力密度でより高効率
一歩進んだハードおよびソフト･スイッチング、さらに高速な固有ダイオードによるシステム耐久性の向上
一歩進んだハードおよびソフト･スイッチング、さらに高速な固有ダイオードによるシステム耐久性の向上
車載用MDmesh DM9スーパージャンクションMOSFET（600V/650V）は、オンボード･チャージャ（OBC）、DC-DCコンバータ、およびバッテリ･マネージメント･システム（BMS）アプリケーションにおける高効率パワー･マネージメント向けに設計されています。このポートフォリオは、ケルビンソース･ピンを備えた上面冷却型HU3PAKパッケージを採用し、スイッチング損失の低減、熱性能の向上、全体的な効率化を実現します。
MDmesh DM9：次のレベル
STHU65N050DM9AG
STHU65N050DM9AG
STHU65N050DM9AGは、電気自動車（EV）システムの温度要件と効率要件に合わせて設計された車載用DM9スーパージャンクションMOSFETです。先進的なシリコンと特殊なパッケージの組み合わせにより、電力密度の向上をコンパクトな設計で支えます。
DM9AGシリーズが選ばれる理由
- 損失の最小化：低いRDS(on)とQgによりエネルギー効率を向上
- 高速スイッチング：ファスト･リカバリ･ダイオードが電荷と時間を削減
- 効率向上：ケルビンソース･ピンが寄生インダクタンスを低減
- 上面冷却型：HU3PAKパッケージはヒート･シンクを直接取り付け可能
- コンパクトな設計：電力密度の向上によりモジュールの小型化が可能
- 熱性能の最適化：基板への放熱なしで最大電力に対応
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