超小型リードレス表面実装型TO-LLパッケージの650V SiC MOSFET
AIサーバに求められる高電力密度を実現することを目的として開発されたデバイスです。
High power density and excellent thermal performance in more compact and reliable designs
High power density and excellent thermal performance in more compact and reliable designs
ST SiC MOSFETs in TO-LL packages combine the intrinsic features of Gen3 STPOWER SiC technology with the excellent heat and current capabilities of the TO-LL package. Together, they deliver outstanding switching performance, reliability, and thermal management, and the additional Kelvin-source lead helps designers lower switching losses even further.
一段と小型化され信頼性を向上した設計による高い電力密度と優れた熱性能
一段と小型化され信頼性を向上した設計による高い電力密度と優れた熱性能
TO-LLパッケージを採用したSTのSiC MOSFETは、第3世代のSTPOWER SiCテクノロジーならではの特徴と、TO-LLパッケージの優れた熱および電流特性を兼ね備えたデバイスです。群を抜くスイッチング性能、信頼性、熱管理特性を提供するとともに、ケルビン･ソース･ピンが設けられたことでスイッチング損失をさらに低減できるようになりました。
SMPS for servers
Telecom infrastructure
Energy storage systems
Why choose SiC MOSFETs in TO-LL package?
- Compact, leadless package
- Large exposed drain pad
- Reduced thickness: 2.3 mm
- Additional Kelvin source pin
- Low RDS(on) over full temperature range
- High-speed switching performance
- Fast and robust intrinsic body diode
Recommended resources
高効率、高信頼性のサーバ電源を実現するためにCompuware社が選択したSTのSiCデジタル電源ソリューション
高効率、高信頼性のサーバ電源を実現するためにCompuware社が選択したSTのSiCデジタル電源ソリューション
このリファレンス設計は、サーバ、データセンター、通信インフラなどのアプリケーションに使われるデジタル電源コンバータの設計に、他に類を見ない幅広い選択肢を提供します。
第3世代STPOWER SiC MOSFET：産業用アプリケーション向けの革新的なテクノロジー
第3世代STPOWER SiC MOSFET：産業用アプリケーション向けの革新的なテクノロジー
超低RDS(on)でスイッチング周波数とエネルギー効率が向上したSTの第3世代SiC MOSFETはアプリケーション･システムのサイズと重量を低減します。高電力密度のAIサーバ向けPSU、太陽光発電のエネルギー変換システム、サーボ･モータ、モータ制御、その他のファクトリ･オートメーション構成部品など、幅広い産業用アプリケーションを最適化します。
パワー･マネージメント･ガイド
パワー･マネージメント･ガイド
STのパワー･マネージメント･ガイドは、AIサーバ向け電源など幅広いアプリケーションに合わせて最適化された電源ソリューションについて、総合的な情報を提供します。性能強化、消費エネルギーの低減、信頼性の確保における効率的なパワー･マネージメントの重要性について解説します。