超小型リードレス表面実装型TO-LLパッケージの650V SiC MOSFET
AIサーバに求められる高電力密度を実現することを目的として開発されたデバイスです。
一段と小型化され信頼性を向上した設計による高い電力密度と優れた熱性能
一段と小型化され信頼性を向上した設計による高い電力密度と優れた熱性能
TO-LLパッケージを採用したSTのSiC MOSFETは、第3世代のSTPOWER SiCテクノロジーならではの特徴と、TO-LLパッケージの優れた熱および電流特性を兼ね備えたデバイスです。群を抜くスイッチング性能、信頼性、熱管理特性を提供するとともに、ケルビン･ソース･ピンが設けられたことでスイッチング損失をさらに低減できるようになりました。
サーバ向けスイッチング電源
通信インフラ
エネルギー貯蔵システム
TO-LLパッケージSiC MOSFETが選ばれる理由
- 小型のリードレス･パッケージ
- 大型の放熱ドレイン･パッド
- 薄型化：2.3mm
- 追加のケルビン･ソース･ピン
- 全温度範囲にわたる低RDS(on)
- 高速スイッチング性能
- 高速かつ堅牢なボディ･ダイオードを内蔵
関連情報
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第3世代STPOWER SiC MOSFET：産業用アプリケーション向けの革新的なテクノロジー
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パワー･マネージメント･ガイド
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