上面冷却型SMDパッケージで提供される最高1200Vの車載グレードSiC MOSFET

STのHU3PAKパッケージで提供される新しい750V SiC MOSFET

効率と熱性能の向上により、よりコンパクトな信頼性の高い電力変換システムを実現

効率と熱性能の向上により、よりコンパクトな信頼性の高い電力変換システムを実現

ブレークダウン電圧が最高1200VのこれらのAEC-Q101認定デバイスは、STの第3世代SiC STPOWERテクノロジーの特徴と上面冷却型SMDパッケージ(HU3PAK)の優れた熱性能を兼ね備えています。エネルギー効率、システム・サイズ、および重量が改善され、フォーム・ファクタの小型化と性能の向上を実現します。

STPOWER SiC MOSFETの特徴

熱性能
- 上面冷却型SMDパッケージ

電力効率
- 全温度範囲で非常に低いRDS(on)
- 非常に低いスイッチング損失

スイッチング性能
- ハイスピード・スイッチング性能
- ソース・センシング・ピン

より容易な設計
- 高速かつ堅牢なボディ・ダイオード

車載グレード認定品
- AEC-Q101認定

 

HU3PAK
パッケージの
650Vシリーズ

HU3PAK
パッケージの
750Vシリーズ

HU3PAK
パッケージの
1200Vシリーズ

ブレークダウン電圧(VDS

650V

750V

1200V

オン抵抗(最大)

63mΩ、72mΩ

78mΩ

28mΩ、87mΩ

ドレイン電流
(最大)

30A

30A

30A、100A

製品リファレンス

SCT040HU65G3AG

SCT055HU65G3AG

SCT060HU75G3AG

SCT020HU120G3AG

SCT070HU120G3AG

STPOWER SiC MOSFETの特徴

主なアプリケーション

オンボード・チャージャ

DC-DCコンバータ

EV充電

太陽電池パネル

関連情報

stpower gen3 sic mosfets

次世代の電気自動車アプリケーションで効率をより向上させる第3世代のSiC MOSFET

個別製品カタログ

第3世代のSiC MOSFETは非常に低いRDS(on)が特徴で、電気自動車の航続距離の延長、システム・サイズと重量の最適化を確実に実現します。STの包括的なポートフォリオは、最高1200Vの幅広いブレークダウン電圧範囲に対応しています。各デバイスは最高水準の車載用規格と産業規格を満たすように設計されている最先端のパッケージで提供されます。

stpower gen3 sic mosfets

最高の熱性能を実現するためのHU3PAKパッケージ実装ガイドラインおよび考慮事項

テクニカル・ノート

本ノートには、パッケージの実装、取扱い、はんだ付け、さらにはヒート・シンク・タイプに関連する熱についての検討事項や組立て方法も記載されています。チップと周囲雰囲気間の伝熱を管理してチップ温度を制限し、部品の性能を確実に発揮させ故障を回避する情報も提供します。

持続可能な未来に貢献するSiC

これらの特性から、SiCパワー半導体は、より高い電力密度を備えた小型・軽量な電源設計を実現します。