上面冷却型SMDパッケージで提供される最高1200Vの車載グレードSiC MOSFET

STのHU3PAKパッケージで提供される新しい750V SiC MOSFET

Improved efficiency and thermal performance for more compact and reliable power conversion systems

Improved efficiency and thermal performance for more compact and reliable power conversion systems

With a breakdown voltage up to 1200 V, these AEC-Q101 qualified devices combine the intrinsic features of ST's 3rd-generation of silicon-carbide STPOWER technology with the excellent thermal performance of the SMD package with top-side cooling (HU3PAK). Energy efficiency, system size and weight are improved for a smaller form factor and enhanced performance.

STPOWER SiC MOSFETの特徴

熱性能
- 上面冷却型SMDパッケージ

電力効率
- 全温度範囲で非常に低いRDS(on)
- 非常に低いスイッチング損失

スイッチング性能
- ハイスピード・スイッチング性能
- ソース・センシング・ピン

より容易な設計
- 高速かつ堅牢なボディ・ダイオード

車載グレード認定品
- AEC-Q101認定

 

HU3PAK
パッケージの
650Vシリーズ

HU3PAK
パッケージの
750Vシリーズ

HU3PAK
パッケージの
1200Vシリーズ

ブレークダウン電圧(VDS

650V

750V

1200V

オン抵抗(最大)

63mΩ、72mΩ

78mΩ

28mΩ、87mΩ

ドレイン電流
(最大)

30A

30A

30A、100A

製品リファレンス

SCT040HU65G3AG

SCT055HU65G3AG

SCT060HU75G3AG

SCT020HU120G3AG

SCT070HU120G3AG

STPOWER SiC MOSFETの特徴

Key applications

On-board chargers

DC/DC converters

EV charging

Solar

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