上面冷却型SMDパッケージで提供される最大1200Vの車載グレードSiC MOSFET
HU3PAKパッケージで提供される第3世代SiC MOSFET
効率と熱性能の向上により、よりコンパクトな信頼性の高い電力変換システムを実現
効率と熱性能の向上により、よりコンパクトな信頼性の高い電力変換システムを実現
ブレークダウン電圧が最大1200VのこれらのAEC-Q101認定デバイスは、STの第3世代SiC STPOWERテクノロジーの特徴と上面冷却型SMDパッケージ（HU3PAK）の優れた熱性能を兼ね備えています。
エネルギー効率、システム･サイズ、および重量が改善され、フォーム･ファクタの小型化と性能の向上を実現します。
オンボード･チャージャ
DC-DCコンバータ
EV充電器
太陽光発電
STPOWER SiC MOSFETの特徴
- 熱性能
- 上面冷却型SMDパッケージ
- 高い電力効率
- 温度範囲全体できわめて低いRDS(on)
- きわめて低いスイッチング損失
- スイッチング性能
- 高速スイッチング性能
- ソース･センシング･ピン
- より容易な設計
- 高速かつ堅牢なボディ･ダイオードを内蔵
- 車載グレード対応品
- AEC-Q101準拠
- 熱性能
- 上面冷却型SMDパッケージ
- 高い電力効率
- 温度範囲全体できわめて低いRDS(on)
- きわめて低いスイッチング損失
- スイッチング性能
- 高速スイッチング性能
- ソース･センシング･ピン
- より容易な設計
- 高速かつ堅牢なボディ･ダイオードを内蔵
- 車載グレード対応品
- AEC-Q101準拠