MasterGaNが解決する電力密度と効率の課題
これからの高電圧に対する要求を見据えて開発された高度な電源システム
自動化、デジタル化、再生可能エネルギーの導入などをめぐって、あらゆる業界が大きな転換点を迎えようとしている現在、高効率、高信頼度の無停電電源（UPS）システムに対する要求が急速に高まりつつあります。こうした流れに伴い、極めて大きな熱負荷に対応しながら長期信頼性を確保するために、電力密度と効率のさらなる向上が求められています。STの高度なパワー･システム･イン･パッケージ（SiP）MasterGaN6およびMasterGaN7は、2つのGaNトランジスタと強化されたゲート･ドライバをコンパクトなパッケージに集積化することで、効率と電力密度を向上するとともに、PCBのレイアウト設計を簡素化します。さらに、障害表示およびスタンバイ機能の専用ピンが、次世代UPS設計におけるエネルギー効率、熱性能、システム堅牢性の最適化を後押しします。
注目のGaN製品：より高い電力密度とさらなる小型化を実現するSTのMasterGaN
MasterGaN6：高度なパワー･システム･イン･パッケージ
MasterGaN6：高度なパワー･システム･イン･パッケージ
オン抵抗140mΩ（typ.）、耐圧650Vのエンハンスメント型GaNトランジスタ2つと、これらを駆動する高電圧、高周波数のゲート･ドライバをハーフブリッジ構成で集積化したパワー･システム･イン･パッケージ（SiP）です。
MasterGaN7：高度なパワー･システム･イン･パッケージ
MasterGaN7：高度なパワー･システム･イン･パッケージ
オン抵抗270mΩ（typ.）、入力ドレイン電流6Aのエンハンスメント型GaNトランジスタ2つと、これらを駆動する高電圧、高周波数のゲート･ドライバをハーフブリッジ構成で集積化したパワー･システム･イン･パッケージ（SiP）です。
主な特徴
- 耐圧650VのGaNトランジスタによるハーフブリッジ
- GaN向けに最適化されたゲート･ドライバ
- OTP、UVLO、貫通電流保護
- LDOおよびブートストラップ･ダイオード内蔵
- 障害表示およびスタンバイ機能用の専用ピン
- ハードスイッチング･トポロジ
- 入力ピンの電圧範囲：3.3V～15V
- 小型GQFN 9mm x 9mmパッケージ
45W～500Wアプリケーション向けの設計
評価ツール
EVLMG6評価ボード
EVLMG6評価ボード
高速のウェイクアップが必要な電源アプリケーションに適した、MasterGaN6によるGaNベースのハーフブリッジ･パワー･モジュールです。簡単な設定で、様々な共振スイッチングおよびハードスイッチング･トポロジを動作させることができます。
EVLMG7評価ボード
EVLMG7評価ボード
高速のウェイクアップが必要な電源アプリケーションに適した、MasterGaN7によるGaNベースのハーフブリッジ･パワー･モジュールです。簡単な設定で、様々な共振スイッチングおよびハードスイッチング･トポロジを動作させることができます。
GaNパワー･デバイスをさらに使いやすくするMasterGaN6およびMasterGaN7の内蔵LDOと新しい専用ピン
GaNパワー･デバイスをさらに使いやすくするMasterGaN6およびMasterGaN7の内蔵LDOと新しい専用ピン
LDO内蔵の新しいMasterGaNデバイスを使って、電力密度とスイッチング周波数を向上するとともに部品点数を削減する方法をご紹介します。